یک شرکت آمریکایی ترانزیستوری را عرضه کرده است که 1 میلیونیوم متر طول دارد و سرعت ماکزیمم آن 604 گیگا هرتز است.

این ترانزیستور که با استفاده از لایه های مختلف نیمه هادی ساخته شده قادر است 604 بیلیون عملیات را در هر ثانیه انجام دهد که نسبت به سیلیکون 3 برابر سریع تر است.

لایه های ترانزیستور از ایندیوم فسفاید و آرسناید گالیوم ایندیوم ساخته شده اند که امکان عبور ساده تر الکترونها را فراهم کرده است .

ساخت تراشه با استفاده از این فرایند هنوز انجام نشده است.

یک سوال : به نظر شما این ترانزیستور دوقطبی است یا CMOS ؟